MOSFET单粒子翻转效应的二维数值模拟

来源 :第三届计算物理学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户：okzzh

【摘要】

：

本文用MEDICI二维模拟软件对MOSFET的单粒子翻转现象进行了计算.力图从理论上,建立分析器件SEU(Single Event Upset)的可靠手段.通过输入不同粒子的LET(Line Energy Transmis

【作者】

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郭红霞张义门陈雨生周辉肖伟坚龚仁喜贺朝会龚建成

【机构】

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西安电子科技大学微电子所西北核技术研究所西安电子科技大学微电子所西北核技术研究所

【出处】

：

第三届计算物理学术会议

【发表日期】

：

2001年8期

【关键词】

：

单粒子翻转线性能量传输漏斗模型

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本文用MEDICI二维模拟软件对MOSFET的单粒子翻转现象进行了计算.力图从理论上,建立分析器件SEU(Single Event Upset)的可靠手段.通过输入不同粒子的LET(Line Energy Transmission)值,得到了某一结构器件的翻转概率与LET值的关系曲线.分析了不同结构参数,如结深、外延层掺杂浓度、结掺杂浓度的变化对SEU的影响.模拟得到结果与电荷漏斗模型相吻合.表明了所1立的物理模型的正确性.同时通过本文的工作也反映了模拟过程存在某些不足,仍有许多方面有待进一步研究.

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