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激光等离子体EUV光源对于集成电路纳米尺度器件的制造具有重要意义。激光等离子体EUV光谱的优化是EUV光源广泛使用的前提,所以本文通过增大入射激光能量,改变光斑大小和脉冲数方法优化Sn靶EUV光谱。结果表明,Sn靶EUV光谱强度随着入射激光能量的增加而增加。通过改变透镜位置,使得光谱增强到1.27倍。此外,利用碰撞–辐射模型(CR模型)建立Sn离子分布与电子温度的对应关系。