脉冲激光沉积制备c轴取向AlN薄膜

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c轴取的AlN具有优异的压电性和声表面波传输特性,已受到人们日益广泛的重视。文章报道了采用KrF脉冲准分子激光沉积工艺,在Si(100)衬底上成功地制备了c轴取向的AlN晶态薄膜。X射拇衍射与傅里叶变换红外光谱的结果表明,在300℃-800℃衬底温度下,薄膜均只有(002)-一个衍射峰,但随着温度的升高,薄膜的结晶质量变好;
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