B2O3掺杂对Pb0.925Ba0.075Nb2O6压电陶瓷结构和电学性能的影响

来源 :陕西师范大学学报：自然科学版 | 被引量 : 0次 | 上传用户：jessiemaa18

【摘要】

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采用传统的电子陶瓷制备方法,以氧化硼(B2O3)为掺杂剂,制备了Pb0.925Ba0.075Nb2O6-0.5wt.%TiO2-xwt.%B2O3(PBNT-xB)(x=0、0.02、0.04、0.06、0.08)压电陶瓷。详细研究了B3+离

【作者】

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刘志刚刘鹏陈晓明赵小刚晁波

【机构】

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陕西师范大学物理学与信息技术学院

【出处】

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陕西师范大学学报：自然科学版

【发表日期】

：

2015年3期

【关键词】

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偏铌酸铅压电陶瓷压电性能介电性能 PbNb2O6piezoelectric ceramicsdielectric propertiespiezoelect

【基金项目】

：

陕西省科学技术发展研究计划项目(2012KJXX-30),高等学校博士学科点专项科研基金(20120202110004),中央高校基本科研业务费专项资金项目(GK201502005,GK201401003)

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采用传统的电子陶瓷制备方法,以氧化硼(B2O3)为掺杂剂,制备了Pb0.925Ba0.075Nb2O6-0.5wt.%TiO2-xwt.%B2O3(PBNT-xB)(x=0、0.02、0.04、0.06、0.08)压电陶瓷。详细研究了B3+离子掺杂对偏铌酸铅(PbNb2O6)基陶瓷的晶格结构、显微结构、介电及压电性能的影响。结果表明,适量B2O3有助于提高陶瓷的致密度,陶瓷的晶粒尺寸和晶格参数随着B2O3掺杂量的不同而改变。B2O3的掺杂量为x=0.04且在1 260℃烧结的陶瓷表现出优异的介电及压电性能

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