【摘 要】
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本文采用射频磁控溅射法在硅基片上沉积YIG薄膜,主要研究了退火条件对YIG薄膜性能的影响。研究结果表明在750℃退火4小时制备的薄膜性能最好,其饱和磁化强度可达到185.9emu/cm3,远
【机 构】
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杭州电子科技大学新型电子器件与应用研究所,杭州电子科技大学新型电子器件与应用研究所电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室
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本文采用射频磁控溅射法在硅基片上沉积YIG薄膜,主要研究了退火条件对YIG薄膜性能的影响。研究结果表明在750℃退火4小时制备的薄膜性能最好,其饱和磁化强度可达到185.9emu/cm3,远大于YIG块材的Ms(139emu/cm3)。此外,其磁性与Fe2+相关。
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