氮化硅的光致发光

来源 :河北师范大学学报(自然科学版) | 被引量 : 0次 | 上传用户：wangxd

【摘要】

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采用PECVD技术在单晶硅（100）硅片表面沉积非晶氮化硅薄膜（-αSiNx）,通过改变压强,调节氮气流量制备样品,再对沉积态样品进行真空传统退火和氮气氛围快速热退火（RTP）处理.研究认为,

【作者】

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刘士彦郑玉龙甄聪棉潘成福侯登录

【机构】

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河北师范大学物理科学与信息工程学院,河北省新型薄膜材料实验室

【出处】

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河北师范大学学报(自然科学版)

【发表日期】

：

2011年4期

【关键词】

：

PECVD 非晶氮化硅薄膜能隙态模型光致发光效应 PECVD amorphous silicon nitride films photoluminescen

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采用PECVD技术在单晶硅（100）硅片表面沉积非晶氮化硅薄膜（-αSiNx）,通过改变压强,调节氮气流量制备样品,再对沉积态样品进行真空传统退火和氮气氛围快速热退火（RTP）处理.研究认为,所制备的-αSiNx薄膜（N2与SiH4流量比〉20∶1）的发光机制以能隙态模型发光机制为主.反应气体流量比不变,提高总的反应气压样品的发光主峰峰位发生了蓝移,真空高温长时间退火会减弱其光致发光效应,快速短时退火有利于其发光峰的增强.

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