【摘 要】
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采用原位水热化学合成法, 在TiNi形状记忆合金表面制备了组成主要为TiO2的绝缘膜, 并对此绝缘膜的生长过程、形貌以及相结构等进行了研究. 结果表明, 该绝缘膜主要成分为Ti和
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采用原位水热化学合成法, 在TiNi形状记忆合金表面制备了组成主要为TiO2的绝缘膜, 并对此绝缘膜的生长过程、形貌以及相结构等进行了研究. 结果表明, 该绝缘膜主要成分为Ti和O, 其相组成为TiO2和TiO2-x (x≤0.2). 随着绝缘膜保温时间的延长, 绝缘膜逐渐增厚, 可以达到4～5 μm. 适宜的保温温度约为200 ℃, 保温时间为8～12 h. 当保温时间超过16 h时 , 绝缘膜开始产生裂纹. 对绝缘膜电阻特性的测试结果表明:绝缘膜电阻随保温时间增加而增大, 在200 ℃保温12 h后的
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