0.8μmSOI CMOS技术及电路研制

来源 :电子与封装 | 被引量 : 0次 | 上传用户:hachu
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SOI CMOS技术在一些特殊应用领域中有着体硅无法比拟的优势。文中叙述采用SIMOX材料和0.8μmSOI CMOS工艺加固技术成功研制出抗辐射性能较好的器件和电路,并且给出了SOI CMOS器件的特性随辐照总剂量的变化关系,试验电路通过了总剂量500Krad(Si)钴60γ射线辐照实验.
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