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本文采用磁控溅射法制备了HfOxNy高介电薄膜,结合XRD、XPS等手段研究了退火温度对薄膜的结构和化学键态的影响,发现N的掺入使Hf4f峰位向低能方向移动.而随着退火温度的升高,Hf4f的双峰峰位向着高结合能的方向移动,这表明N的含量随着退火温度的升高而降低.XRD结果显示N的掺入能提高薄膜的晶化温度.