【摘 要】
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使用MOCVD技术生长了 980nmVCSEL ,在GaAs/AlGaAsDBR对的生长过程中通过相干反射率测量方法实现了在位监测和实时校正生长。白光反射谱测量结果表明通过上述手段准确控制了外
【机 构】
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北京工业大学电控学院光电子技术实验室,北京工业大学电控学院光电子技术实验室,北京工业大学电控学院光电子技术实验室,北京工业大学电控学院光电子技术实验室,北京工业大学电控学院光电子技术实验室,北京工业大
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使用MOCVD技术生长了 980nmVCSEL ,在GaAs/AlGaAsDBR对的生长过程中通过相干反射率测量方法实现了在位监测和实时校正生长。白光反射谱测量结果表明通过上述手段准确控制了外延层的光学厚度。外延生长结束后 ,制备了 980nmVCSEL ,器件在室温下连续工作 ,输出功率为 7.1mW ,激射波长为 974nm ,斜率效率为 0 .4 6 2mW/mA。
980nmVCSEL was grown using MOCVD technology and in-position monitoring and real-time corrected growth were achieved by the coherent reflectance measurement during the growth of GaAs / AlGaAsDBR pairs. The results of white light reflectance measurements show that the optical thickness of the epitaxial layer is accurately controlled by the above means. After the epitaxial growth, 980nmVCSEL was fabricated. The device was operated continuously at room temperature. The output power was 7.1mW, the lasing wavelength was 974nm, and the slope efficiency was 0.4626mW / mA.
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