微结构对CVD金刚石X射线探测器电性能的影响

来源 :红外与毫米波学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：xytim021

【摘要】

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制备了结构为Au/金刚石膜/Si/Al的光导型X射线探测器,研究了金刚石膜微观结构对器件暗电流-电压特性、电流-温度特性以及在稳态X射线辐照下响应特性的影响.研究表明,采用[001

【作者】

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王林军夏义本居建华

【出处】

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红外与毫米波学报

【发表日期】

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2002年z1期

【关键词】

：

X射线探测器电学性能 CVD金刚石膜. X-ray detectors electrical properties CVD diamond films.

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制备了结构为Au/金刚石膜/Si/Al的光导型X射线探测器,研究了金刚石膜微观结构对器件暗电流-电压特性、电流-温度特性以及在稳态X射线辐照下响应特性的影响.研究表明,采用[001]结构金刚石膜制备的器件具有较大的暗电流和X射线响应.在高于500K的温度区域内,随着温度的上升,器件暗电流以指数式上升,这可能与Si占据金刚石格点产生1.68eV的激活能有关.

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