一种新颖的应变Si沟道 pMOSFET制作技术

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：z344121483

【摘要】

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在应变Si沟道异质结场效应晶体管(HFET)制作过程中,引入分子束外延(MBE)低温Si(LT-Si)技术,大大减少了弛豫SiGe层所需的厚度.TEM结果表明,应变Si层线位错密度低于106cm-2.原

【作者】

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张静徐婉静谭开洲李荣强李开成刘道广刘伦才

【机构】

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模拟集成电路国家重点实验室,中国电子科技集团集团第24所,中国电子科技集团集团第24所,中国电子科技集团集团第24所,中国电子科技集团集团第24所,中国电子科技集团集团第24所,中国电子科技集团集团第

【出处】

：

半导体学报

【发表日期】

：

2006年z1期

【关键词】

：

应变SI SIGE 异质结场效应晶体管分子束外延弛豫

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在应变Si沟道异质结场效应晶体管(HFET)制作过程中,引入分子束外延(MBE)低温Si(LT-Si)技术,大大减少了弛豫SiGe层所需的厚度.TEM结果表明,应变Si层线位错密度低于106cm-2.原子力显微镜(AFM)测试表明,其表面均方粗糙度小于1.02nm.器件测试结果表明,与相同条件下的体Si pMOSFET相比,空穴迁移率提高了25%.

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