Si1-xGex/Si多层异质外延结构的研究

来源 :微电子学 | 被引量 : 0次 | 上传用户：heshang9994

【摘要】

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对制作的Ｓｉ１－ｘＧｅｘ／Ｓｉ多层异质外延结构进行了研究。并对其做了反射高能电子衍射（ＲＨＥＥＤ）、Ｘ射线衍射（ＸＲＤ）和扩展电阻（ＳＲ）等测量，给出了利用这种结构研制出的异质结双极晶体管（ＨＢＴ）的输出特性曲线。 The fabrica

【作者】

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郭林李开成张静刘道广易强

【机构】

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模拟集成电路国家重点实验室!重庆400060,模拟集成电路国家重点实验室!重庆400060,模拟集成电路国家重点实验室!重庆400060,信息产业部电子第二十四研究所!重庆400060,模拟集成电路国

【出处】

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微电子学

【发表日期】

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2000年04期

【关键词】

：

Si1-xGex/Si 异质外延异质结双极晶体管分子束外延

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对制作的Ｓｉ１－ｘＧｅｘ／Ｓｉ多层异质外延结构进行了研究。并对其做了反射高能电子衍射（ＲＨＥＥＤ）、Ｘ射线衍射（ＸＲＤ）和扩展电阻（ＳＲ）等测量，给出了利用这种结构研制出的异质结双极晶体管（ＨＢＴ）的输出特性曲线。 The fabricated Si1-xGex / Si multilayer heteroepitaxial structure was studied. The characteristics of RHEED, XRD and SR were measured and the output characteristics of HBT developed by this kind of structure were given. curve.

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