【摘 要】
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采用氮化钛（TiN）修饰平面微电极阵列（pMEA）,对其性能进行改进,开展了离体神经电生理和神经递质电化学的检测研究。采用磁控溅射法在实验室自制微电极阵列上修饰具有纳米结构的TiN
【机 构】
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中国科学院电子学研究所传感技术联合国家重点实验室,中国科学院大学
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采用氮化钛（TiN）修饰平面微电极阵列（pMEA）,对其性能进行改进,开展了离体神经电生理和神经递质电化学的检测研究。采用磁控溅射法在实验室自制微电极阵列上修饰具有纳米结构的TiN材料,修饰后的微电极阻抗降低近一个数量级,背景噪声基线降至±6μV,信噪比是修饰前的1.7倍。在SD大鼠离体脑片神经电生理信号检测中,信噪比可达10∶1,能分离提取±12μV的微弱信号。神经递质多巴胺电化学信号检测下限达50 nmol/L（信噪比2∶1）,浓度在0.05~100μmol/L内与电流响应的线性相
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