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本文利用动态掩膜湿法腐蚀技术，首次研究了 HCl/HF/CrO3 溶液对与 InP 衬底晶格匹配的InxGa1-xAs1-yPy (y=0, 0.2, 0.4, 0.6)材料的腐蚀特性。对于 HCl(36wt﹪)/HF(40wt﹪)/CrO3(10wt﹪)的体积比为 x：0.5：1 的溶液，随着 x 由 0 增加到 1.25，相应的腐蚀液对 In0.53Ga0.47As/In0.72Ga0.28As0.6P0.4的选择性由 42.4 降到 1.4；通过调节腐蚀液的选择性，在 In0.72Ga0.28As0.6P0.4外延层上制备出了倾角从 1.35°到 35.9°的各种楔形结构。