【摘 要】
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MoS_2二维材料由于其本身就具有直接带隙且带隙不为零,具有优于石墨烯的能带结构,是良好的半导体材料,在电学、磁学、及未来电子器件等方面都有良好的性质和应用前景。利用第
【机 构】
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商洛学院电子信息与电气工程学院物理系,重庆大学光电工程学院,商洛学院化学工程与现代材料学院,中国科学院半导体研究所材料重点实验室
【基金项目】
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国家自然科学基金项目（Nos.61504128,61504129,61274041和11275228）, 陕西省自然科学基础研究计划资助项目（2017JQ6011）, 商洛市科学技术研究发展计划资助项目（SK2015-35）, 商洛学院科学与技术研究基金项目（15SKY025）
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MoS_2二维材料由于其本身就具有直接带隙且带隙不为零,具有优于石墨烯的能带结构,是良好的半导体材料,在电学、磁学、及未来电子器件等方面都有良好的性质和应用前景。利用第一性原理方法,通过替位掺杂的方式,研究了不同浓度F掺杂单层MoS_2的能带结构和各种态密度图,并与本征单层MoS_2及文献中的掺Cl、掺O结果做了对比,分析了各自的电子结构、导电性和磁性。结果发现：掺F后单层MoS_2由直接带隙变成间接带隙,单层MoS_2的禁带宽度从本征的1.718e V减小到1.301 e V,且随着F掺杂浓度的增加,带
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