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采用0.18μm GaAs衬底增强/耗尽型赝配高电子迁移率晶体管(E/D PHEMT)工艺研制了一款2~6.5 GHz高精度6位数控移相器.为了达到较小的插入损耗和较小的版图面积,采用桥T型高/低通滤波器拓扑结构对5.625°移相器单元进行设计.采用开关切换全通滤波拓扑结构对11.25°、22.5°、45°、90°、180°5个移相器单元进行设计,实现了较小版图面积和高移相精度.芯片尺寸为4.5 mm×1.7 mm×0.1 mm,通过实测可知,在2~6.5 GHz工作频段内,输入输出驻波小于1.6,插入损耗小于17 dB,移相精度小于3°.