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用XeCl准分子激光作光源,以BBr3为工作物质,在n型硅片表面进行激光气相化学诱导掺杂硼,制作太阳电池。获得的PN结表面最大掺杂浓度为1.2×1021B /cm3;在1017B /cm3处的结深为0.08μm;未镀增透膜的光电转换效率为9.5％。
激光气相化学诱导掺杂制作超薄结硅光电池及其参数研究
【摘 要】
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用XeCl准分子激光作光源,以BBr3为工作物质,在n型硅片表面进行激光气相化学诱导掺杂硼,制作太阳电池。获得的PN结表面最大掺杂浓度为1.2×1021B /cm3;在1017B /cm3处的结深为0.08μm;未镀增透膜的光电转换效率为9.5％。
【机 构】
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上海市激光技术研究所西北电讯工程学院
【出 处】
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中国激光
【发表日期】
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1987年14期
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