High—k材料MOS器件的PISCES—Ⅱ模拟

来源 :微电子学与计算机 | 被引量 : 0次 | 上传用户：climb_climb

【摘要】

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High-k材料是指介电常数k高于Si02的材料.使用high-k材料做栅绝缘层,是减小MOS器件栅绝缘层直接隧道击穿(Direct Tunneling,DT)电流的有效方法.文章在二维器件模拟软件PISCES

【作者】

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陈震向采兰余志平

【机构】

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清华大学微电子学研究所

【出处】

：

微电子学与计算机

【发表日期】

：

2003年3期

【关键词】

：

High-k材料 MOS器件 PISCES-Ⅱ模拟隧道击穿 MOSFET器件 Device simulation MOSFET Gate High-k

【基金项目】

：

国家重点基础研究发展计划(973计划)

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High-k材料是指介电常数k高于Si02的材料.使用high-k材料做栅绝缘层,是减小MOS器件栅绝缘层直接隧道击穿(Direct Tunneling,DT)电流的有效方法.文章在二维器件模拟软件PISCES-Ⅱ中添加了模拟以high-k材料为栅绝缘层的M0S器件模型,并对SiO2和high-k材料的M0S晶体管器件特性进行了模拟比较,成功地验证了所加high-k材料MOS器件模型的正确性.改进后的PISCES-Ⅱ程序,可以方便地对以各种high-k材料为栅绝缘层的器件性能进行模拟.

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