【摘 要】
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同等电压应力下的GaN器件相比Si器件具有更低的导通电阻Rds(on)(on-resistance)及门极充电电荷Qg,能够大幅降低驱动和开关损耗,有利于提高变换器效率及功率密度。在低压小功
【机 构】
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中国电子科技集团公司第十三研究所,中国航发控制系统研究所,南京航空航天大学航空电源重点实验室
【基金项目】
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国家优秀青年科学基金资助项目(51722702),中央高校基本科研业务费资助项目(NP2019101)
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同等电压应力下的GaN器件相比Si器件具有更低的导通电阻Rds(on)(on-resistance)及门极充电电荷Qg,能够大幅降低驱动和开关损耗,有利于提高变换器效率及功率密度。在低压小功率场合的超高频VHF(very high freque-ncy)谐振反激变换器中,提出了一种集成空芯变压器,大幅减小了印制电路板PCB(printed circuit board)面积,提高了功率密度。同时通过有限元分析FEA(finite element analysis)设计样机结构,确保变压器磁场不会影响其他器件
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