【摘 要】
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设计了一种基于0.13 μm CMOS工艺的混合结构DC-DC变换器.该变换器由Buck变换器和LDO串联组成.Buck变换器输出电压可根据LDO负载电流进行调节,能有效减小LDO损耗.在负载电流
【机 构】
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电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室,成都,610054
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设计了一种基于0.13 μm CMOS工艺的混合结构DC-DC变换器.该变换器由Buck变换器和LDO串联组成.Buck变换器输出电压可根据LDO负载电流进行调节,能有效减小LDO损耗.在负载电流为20 mA时,可将整个变换器的效率提高10.5％.LDO采用片外电容补偿.高带宽误差放大器使LDO在DC～20 MHz范围内具有较高的电源抑制比.LDO对Buck变换器开关频率处的噪声抑制达-62 dB.整个电源具有较低的输出噪声,适于为RF电路供电.
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