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摘要IR2304是美国IR公司生产的新一代半桥驱动集成芯片，该芯片内部集成了互相独立的控制驱动输出电路，可直接驱动两个功率半导体器件MOSFET或IGBT，动态响应快，驱动能力强，工作频率高，具有多种保护功能。本文介绍了其功能特点、工作原理和典型应用电路。
IR2304的功能特点
IR2304是国际整流器公司推出的具有多功能600V高端及低端驱动集成电路，这种适于功率MOSFET、IGBT驱动的自举式集成电路在照明镇流器、电源及电机等功率驱动领域中将获得广泛的应用。其性能特点如下：（1）该电路芯片体积小（DIP8）、集成度高（可同时驱动同一桥臂的上、下两只开关器件）；（2）动态响应快。典型通断延迟时间220/220ns，内部死区时间100ns，匹配延迟时间50ns；（3）驱动能力强，可驱动600V主电路系统。具60mA/130mA输出驱动能力，栅极驱动输入电压宽达10～20V；（4）工作频率高。可支持100kHz或以下的高频开关，配合IRF830或IRFBC30一类较小巧的MOSFET或IGBT使用；（5）输入输出同相设计。提供高端和低端独立控制驱动输出，可通过两个兼容3.3、5V和15V输入逻辑的独立CMOS或LSTTL输入来控制，为设计带来了很大的灵活性；（6）低功耗且实现坚固耐用而防噪效能又极高的设计。IR2304驱动集成电路采用高压集成电路技术，整合设计既降低解决方案成本和简化电路，又减低设计风险和节省电路板的空间。相比于其它分立式、脉冲变压器及光耦解决方案，IR2304更能节省组件数量和空间，并提高可靠性；（7）具有电源欠压保护和关断逻辑。IR2304有两个非倒相输入及交叉传导保护功能，整合了专为驱动电机的半桥MOSFET或IGBT电路而设的保护功能。当电源电压降至4.7V以下，欠电压锁定功能即会关掉两个输出，防止穿通电流及器件故障。当电源电压超出5V后则会释放输出 (综合滞后一般为0.3V)。过电压及防闭锁CMOS技术使IR2304变得坚固耐用。另外，IR2304集成电路还配备大脉冲电流缓冲级，可将交叉传导减至最低；同时采用具下拉功能的史密特触发式输入设计，可有效隔绝噪音，以防止器件意外开通。
IR2304的功能特点
IR2304是国际整流器公司推出的具有多功能600V高端及低端驱动集成电路，这种适于功率MOSFET、IGBT驱动的自举式集成电路在照明镇流器、电源及电机等功率驱动领域中将获得广泛的应用。其性能特点如下：（1）该电路芯片体积小（DIP8）、集成度高（可同时驱动同一桥臂的上、下两只开关器件）；（2）动态响应快。典型通断延迟时间220/220ns，内部死区时间100ns，匹配延迟时间50ns；（3）驱动能力强，可驱动600V主电路系统。具60mA/130mA输出驱动能力，栅极驱动输入电压宽达10～20V；（4）工作频率高。可支持100kHz或以下的高频开关，配合IRF830或IRFBC30一类较小巧的MOSFET或IGBT使用；（5）输入输出同相设计。提供高端和低端独立控制驱动输出，可通过两个兼容3.3、5V和15V输入逻辑的独立CMOS或LSTTL输入来控制，为设计带来了很大的灵活性；（6）低功耗且实现坚固耐用而防噪效能又极高的设计。IR2304驱动集成电路采用高压集成电路技术，整合设计既降低解决方案成本和简化电路，又减低设计风险和节省电路板的空间。相比于其它分立式、脉冲变压器及光耦解决方案，IR2304更能节省组件数量和空间，并提高可靠性；（7）具有电源欠压保护和关断逻辑。IR2304有两个非倒相输入及交叉传导保护功能，整合了专为驱动电机的半桥MOSFET或IGBT电路而设的保护功能。当电源电压降至4.7V以下，欠电压锁定功能即会关掉两个输出，防止穿通电流及器件故障。当电源电压超出5V后则会释放输出 (综合滞后一般为0.3V)。过电压及防闭锁CMOS技术使IR2304变得坚固耐用。另外，IR2304集成电路还配备大脉冲电流缓冲级，可将交叉传导减至最低；同时采用具下拉功能的史密特触发式输入设计，可有效隔绝噪音，以防止器件意外开通。