Au/Si基片上沉积Bi1.5Zn1.0Nb1.5O7

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采用磁控溅射法在Au/Si基片上制备了铌酸锌铋BZN(Bi1.5Zn1.0Nb1.5O7)薄膜.在基片温度200℃、本底真空1×10-3 Pa条件下,BZN靶溅射0.5 h,作为自缓冲层;然后在400℃下溅射1.5 h,薄膜总厚度为200 nm,650℃原位真空退火1 h.XRD分析显示该薄膜为单一取向,结晶良好;AFM扫描显示表面平整;测试表明不同频率下薄膜的性能没有大的改变.实验证明,选用电阻率较小的Au电极材料有利于器件性能的提高,实验得到介电常数可调率约20%、损耗为0.002-0.004.
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