【摘 要】
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HIT结构的a-Si:H/c-Si异质结太阳能电池迎光面遮光损失大是限制其效率提升的瓶颈之一。设计并制备了银栅线/SiNx/c-Si（n+）/n-c-Si/a-Si:H（i）/a-Si:H（p+）/ITO/银栅线结构的双面太阳
【基金项目】
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国家自然科学基金(61306084,61464007,51561022);江苏省能量转换材料与技术重点实验室开放课题基金资助项目(NJ20160032);江西省重点研发计划-技术引进与合作研究-重点项目(2016BBH80043)
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HIT结构的a-Si:H/c-Si异质结太阳能电池迎光面遮光损失大是限制其效率提升的瓶颈之一。设计并制备了银栅线/SiNx/c-Si（n+）/n-c-Si/a-Si:H（i）/a-Si:H（p+）/ITO/银栅线结构的双面太阳能电池。对制备的双面太阳能电池样品每一面的进光情况进行J-V、量子效率和Suns-Voc测试分析。研究结果表明,该结构太阳能电池采用背结结构入光可获得比前结结构入光更高的短路电流密度,从而获得更高的光电转换效率;当制绒后硅片厚度为160μm时,双面太阳能电池的短路电流密度最高,为40.3mA·cm-2,优于HIT结构的最优值39.5mA·cm-2。
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