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飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor) 推出 40V P 沟道 PowerTrench MOSFET 产品 FDD4141，为功率工程师提供快速开关的解决方案，可将开关损耗减少达一半。FDD4141 具有低导通阻抗 (RDS(ON))，与目前的 MOSFET 比较能降低栅极电荷(QG) 达 50%，可让便携、计算、消费和家庭娱乐产品中的异步降压、电池充电和逆变器开关等应用，以更高的速度进行切换，而不会产生过多的热量。快速开关是步降转换器等开关速度需要达到数百 kHz 应用的必备条件。尽管其它 MOSFET 解决方案亦可在较高频率下进行切换，惟这些解决方案的栅极电荷较高，造成发热更多、效率降低。
FDD4141采用飞兆半导体专有的 PowerTrench 工艺技术制造，可将负载电流更高的晶圆封装在尺寸更小的封装中。PowerTrench 技术将 N 沟道 MOSFET 的特性运用在 P 沟道 MOSFET 中，使到 P 沟道 MOSFET 具备 N 沟道 MOSFET 的性能，并表现出更低的 RDS (ON) 和更低的栅极电荷，继而更高的效率，同时还能够在数百 kHz 的高频下切换，以达致步降转换器的开关要求。
FDD4141 是飞兆半导体广泛全面的 PowerTrench MOSFET 产品组合的一部分，能够满足当今电子产品的电气和热性能要求，有助于实现能效目标。飞兆半导体性能先进的 PowerTrench MOSFET 工艺技术能够实现非常低的密勒电荷 (QGD)、RDS(on) 和总体栅极电荷 (QG) 值，当用于同步降压应用时，可提供出色的开关性能和热效率。
FDD4141采用无铅 (Pb-free) 端子，潮湿敏感度符合IPC/JEDEC J-STD-020标准对无铅回流焊的要求。所有飞兆半导体产品均设计满足欧盟有害物质限用指令(RoHS) 的要求。
FDD4141采用飞兆半导体专有的 PowerTrench 工艺技术制造，可将负载电流更高的晶圆封装在尺寸更小的封装中。PowerTrench 技术将 N 沟道 MOSFET 的特性运用在 P 沟道 MOSFET 中，使到 P 沟道 MOSFET 具备 N 沟道 MOSFET 的性能，并表现出更低的 RDS (ON) 和更低的栅极电荷，继而更高的效率，同时还能够在数百 kHz 的高频下切换，以达致步降转换器的开关要求。
FDD4141 是飞兆半导体广泛全面的 PowerTrench MOSFET 产品组合的一部分，能够满足当今电子产品的电气和热性能要求，有助于实现能效目标。飞兆半导体性能先进的 PowerTrench MOSFET 工艺技术能够实现非常低的密勒电荷 (QGD)、RDS(on) 和总体栅极电荷 (QG) 值，当用于同步降压应用时，可提供出色的开关性能和热效率。
FDD4141采用无铅 (Pb-free) 端子，潮湿敏感度符合IPC/JEDEC J-STD-020标准对无铅回流焊的要求。所有飞兆半导体产品均设计满足欧盟有害物质限用指令(RoHS) 的要求。