一维任意电荷浓度分布引起的电势

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【摘要】

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以氧化层电荷非均匀分布的MOS结构为例,介绍求解一维任意电荷浓度分布电势的3种方法0x0E?Symbol~B@0x0F0x0E?Symbol~B@0x0F电势叠加法、积分区间变换法和掺杂矩法,并讨论它们

【作者】

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茹国平

【机构】

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复旦大学微电子学院

【出处】

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大学物理

【发表日期】

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2018年4期

【关键词】

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掺杂矩电势电容-电压阈值电压 doping momentpotentialcapacitance-voltagethreshold voltage

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以氧化层电荷非均匀分布的MOS结构为例,介绍求解一维任意电荷浓度分布电势的3种方法0x0E?Symbol~B@0x0F0x0E?Symbol~B@0x0F电势叠加法、积分区间变换法和掺杂矩法,并讨论它们的等价性.重点介绍了掺杂矩法在非均匀掺杂n+p结C-V测试、非均匀掺杂MOSFET阈值电压计算中的应用,并讨论了变容管、MOSFET倒掺杂等原理.

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