SiO2／Ta界面反应及其对Cu扩散的影响

来源 :北京科技大学学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：shinetar

【摘要】

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利用磁控溅射方法在表面有SiO2层的Si基片上溅射Ta薄膜,采用X射线光电子能谱研究了SiO2/Ta界面以及Ta5Si3标准样品,并进行计算机谱图拟合分析.实验结果表明在制备态下在SiO2/

【作者】

：

龙世兵马纪东于广华赵洪辰朱逢吾张国海夏洋

【机构】

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北京科技大学材料物理系,中国科学院微电子中心

【出处】

：

北京科技大学学报

【发表日期】

：

2003年1期

【关键词】

：

SiO2/Ta界面 Cu 互连线扩散阻挡层界面反应 X射线光电子能谱铜钽超大规模集成电路互连结构 Diffusion Surface reactio

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利用磁控溅射方法在表面有SiO2层的Si基片上溅射Ta薄膜,采用X射线光电子能谱研究了SiO2/Ta界面以及Ta5Si3标准样品,并进行计算机谱图拟合分析.实验结果表明在制备态下在SiO2/Ta界面处有更稳定的化合物新相Ta5Si3和Ta2O3生成.在采用Ta作阻挡层的ULSI铜互连结构中这些反应产物可能有利于对Cu扩散的阻挡.

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