【摘 要】
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日本NTT光电实验室的研究人员演示了一种以双InGaAs/InP-GaAs/AlAs分布式布喇格反射器为基础的1.55μm输出垂直腔表面发射激光器(VCSEL)。靠晶片融合进行的设计,其不匹配位错
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日本NTT光电实验室的研究人员演示了一种以双InGaAs/InP-GaAs/AlAs分布式布喇格反射器为基础的1.55μm输出垂直腔表面发射激光器(VCSEL)。靠晶片融合进行的设计,其不匹配位错密度低于InP/GaAs界面上的异质外延生长。这种直径为25μm的器件在23℃时的阈值电流为8.8mA,阈值?..
Researchers at Japan’s NTT Optoelectronics Laboratory demonstrated a 1.55μm output vertical cavity surface emitting laser (VCSEL) based on a dual InGaAs / InP-GaAs / AlAs distributed Bragg reflector. Design by wafer fusion has a lower mismatch dislocation density than heteroepitaxial growth on the InP / GaAs interface. The threshold current at 23 ° C for this device with a diameter of 25μm is 8.8mA, the threshold?
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