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以去离子水（H2O）和三甲基镓（TMGa）为源材料，用常压MOCVD方法在蓝宝石（0001）面上生长出β-Ga2O3，薄膜。用原子力显微镜（AFM）、X射线衍射（XRD）以及二次离子质谱（SIMS）实验表征Ga2O3外延膜的质量。在X射线衍射谱中有一个强的Ga2O3（102）面衍射峰，其半峰全宽（FWHM）为0．25°，表明该Ga2O3，外延膜是（102）择优取向。在二次离子质谱中除了C,H、O和Ga原子外，没有观测到其他原子。