一种光电探测器与信号处理器的单片集成器件

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提出了一种180V光电探测器与10 V BiCMOS信号处理器的单片光电集成器件.研究发现,器件中n+p结的高边缘电场值对探测效率的影响较大.利用SilvacoTCAD软件进行了仿真设计,研究了高边缘电场对该集成器件中光电探测器的关键参数的影响.引入金属场板,提高了探测效率.仿真结果表明,该单片集成器件实现了光电探测器与信号处理器的工艺兼容和电压兼容.对比未引入金属场板和引入金属场板的情况,在入射光波长为1.06 μm处,外量子效率分别为4.68%和36.3%,响应度分别为0.04A·W-1 ·cm-2和0.31A·W-1 ·cm-2.
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