【摘 要】
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用550eV的低能量Ar+离子束轰击n-MOSFET(n沟金属-氧化物-半导体场效应晶体)芯片的背面,以改善其饱和区的直流特性(如跨导、阈值电压和表面有效迁移率)以及低频噪声等.结果表
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用550eV的低能量Ar+离子束轰击n-MOSFET(n沟金属-氧化物-半导体场效应晶体)芯片的背面,以改善其饱和区的直流特性(如跨导、阈值电压和表面有效迁移率)以及低频噪声等.结果表明,随着轰击时间的增加,跨导和沟道表面有效迁移率先增大后减小,阈值电压先减小后增大,而低频噪声在轰击后明显减小.实验证明,上述参数的变化是硅-二氧化硅界面的陷阱密度和二氧化硅中固定电荷密度在轰击后变化的结果.
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