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从硅单晶锭到单晶硅片需要一系列的机械和化学加工过程，如切割、研磨、磨削、抛光等。具有高效率、高精度、低损伤等优点的硅片自旋转磨削技术正逐步成达抛光硅片和图形硅片背面减薄的主流加工技术。如何既能提高硅片的加工效率，又能保证很高的加工精度和表面质量是对硅片超精密加工技术提出的新挑战。基于此问题，本文将着重分析探讨硅片自旋转磨削表面粗糙度建模与实验，以及能为以后的实际工作起到一定的借鉴作用。