论文部分内容阅读
,Role of Ga vacancies in enhancing the leakage current of GaN Schottky barrier ultraviolet photodete
【作 者】
:
【机 构】
:
State Key Laboratory on Integrated Optoelectronics,Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sc
【出 处】
:
中国物理B(英文版)
【发表日期】
:
2010年5期
其他文献