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基于PSP模型提出一种新的RF-MOSFET模型。针对实际器件的物理结构,解析提取了RF条件下MOSFET的寄生参量。最终,将模型应用到某工艺线一共源连接n-MOSFET上,在保证PSP精确拟合直流特性的前提下,在高达40GHz的频率下对S参数的仿真和测试结果进行比较,具有一定的精度。
基于PSP的MOSFET射频建模
【摘 要】
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基于PSP模型提出一种新的RF-MOSFET模型。针对实际器件的物理结构,解析提取了RF条件下MOSFET的寄生参量。最终,将模型应用到某工艺线一共源连接n-MOSFET上,在保证PSP精确拟合
【机 构】
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杭州电子科技大学电子信息学院
【出 处】
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杭州电子科技大学学报
【发表日期】
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2009年4期
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