合肥电子储存环上新旧高频腔的尾场及耦合阻抗的计算

来源 :强激光与粒子束 | 被引量 : 0次 | 上传用户：Answerallen

【摘要】

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合肥800MeV电子储存环的二期升级工程正在进行,其中高频腔的改造和加工将要完成,由于原有高频腔存在较多不合理因数,将要被新腔所替换.为了充分估计在将来运行时,高频腔的耦

【作者】

：

徐宏亮王琳刘金英孙葆根李为民何多慧

【机构】

：

中国科学技术大学

【出处】

：

强激光与粒子束

【发表日期】

：

2003年2期

【关键词】

：

合肥电子储存环计算尾场宽带耦合阻抗高频腔 Computer software Electric impedance Fourier transforms

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合肥800MeV电子储存环的二期升级工程正在进行,其中高频腔的改造和加工将要完成,由于原有高频腔存在较多不合理因数,将要被新腔所替换.为了充分估计在将来运行时,高频腔的耦合阻抗对储存高流强的影响,需要对新旧高频腔宽带耦合阻抗进行比较计算.用电磁场计算软件MAFIA对高频腔的耦合阻抗及电子束在此结构中产生的尾场进行了计算,结果说明旧高频腔的耦合阻抗比新高频腔小.

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