多层NMOS技术对I／O接口的ESD保护作用

来源 :微处理机 | 被引量 : 0次 | 上传用户：XFJ1988

【摘要】

：

本文提出了NMOS堆栈触发控制硅整流器(SNTSCR)作为ESD箝制工艺用来保护CMOS芯片的I/O端.与没有使用厚栅氧化层来克服栅氧化可靠性的CMOS工序充分兼容.在0.35μmCMOS工序中,有

【作者】

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李翠柳海生袁晓岚

【机构】

：

东北微电子研究所,加野麦克斯仪器（沈阳）有限公司

【出处】

：

微处理机

【发表日期】

：

2005年6期

【关键词】

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静电放电(ESD) ESD保护多种组合电平I/O端控制硅整流器(SCR) Electrostatic discharge （ ESD ） ESD prot

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本文提出了NMOS堆栈触发控制硅整流器(SNTSCR)作为ESD箝制工艺用来保护CMOS芯片的I/O端.与没有使用厚栅氧化层来克服栅氧化可靠性的CMOS工序充分兼容.在0.35μmCMOS工序中,有不同参数布局的ESD SNTSCR工艺已经研究过.带有120μm NMOS堆栈沟道的I/O端的人体模式ESD(HBM ESD)电平可以借助只有60μm/0.35μm的SNTSCR由2ky提高到8ky.

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