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采用聚合物先驱体热解技术，以聚合物先驱体-聚碳硅烷（Polycarbosilane，PCS）为原料，在催化剂辅助作用下，于1200℃热解制备出超长碳化硅（SiC）纳米线。采用电子能量散射（EDS）、扫描电镜（SEM）、透射电镜（TEM）和X射线衍射（XRD）等分析手段对SiC纳米线进行了表征。结果表明，所制备的纳米线为高结晶性β-SiC，纳米线直径约为30nm～300nm，长度可达数毫米。利用“气-固”生长机制对SiC纳米线的生长过程进行了分析。