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为研究高功率微波及材料特性参数对介质沿面闪络击穿过程的影响，采用自编的1D3VPIC—MCC程序，通过粒子模拟手段，得到了电子与离子数目、电子及离子密度分布、空间电荷场时空分布、电子平均能量、放电功率、表面沉积功率、激发电离损耗功率、电离频率等重要物理量。结果表明：电离频率随场强增加而增加，达到饱和后缓慢下降，强场诱发的二次电子数目更多导致本底沉积功率增高；电离频率随频率减小而增加，达到饱和后缓慢下降，频率太高会抑制次级电子倍增；因此，低频强场下击穿压力较大；反射引发表面电场下降及磁场增加效应，降低表面场