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研究了以C4F8／SF6／O2为刻蚀气体，利用ICP刻蚀技术制作SOI脊形光波导过程中，刻蚀参数与侧壁粗糙度的关系．实验结果表明偏压、气体比例、压强是影响侧壁粗糙度的关键参数，在低偏压、低C4F8／SF6比和较高压强下更容易获得低粗糙度的侧壁．通过优化刻蚀参数，获得了侧壁粗糙度和传输损耗相对较低的SOI脊形波导．