ZnO基紫外探测器研究进展

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近年来,直接带隙宽禁带半导体ZnO(3.37eV)以其优越的光电特性而成为紫外探测领域研究中的新热点。文章介绍了不同类型的ZnO基紫外光敏探测器的结构和性能,并对ZnO基紫外光敏探测器的最新研究进展和应用前景进行探讨和展望。
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