用模型参数优化法改进带隙基准的温度

来源 :微电子学与计算机 | 被引量 : 0次 | 上传用户：happy_0421

【摘要】

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以GP模型理论和工艺数据为基础，提出了模型中关键温度参数XTB和XTI的优化方法．以典型的带隙基准电路为例，经Hspice仿真分析表明，在-55～125℃范围内带隙基准的温度特性得到较好的改

【作者】

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【机构】

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西安微电子技术研究所

【出处】

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微电子学与计算机

【发表日期】

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2008年4期

【关键词】

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以GP模型理论和工艺数据为基础，提出了模型中关键温度参数XTB和XTI的优化方法．以典型的带隙基准电路为例，经Hspice仿真分析表明，在-55～125℃范围内带隙基准的温度特性得到较好的改善．

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