论文部分内容阅读
摄像机集锦(二)
【出 处】
：
光电子技术
【发表日期】
：
1997年4期
其他文献
本文介绍了采用激光化学汽相淀积（ＬＣＶＤ）技术淀积氮化硅薄膜微透镜的系统与工艺的设计。实践表明，按要求建立了ＬＣＶＤ的实验装置后，只要适当控制源气体的化学配比与浓度，调节激光功率与衬底上
首先介绍动态激光图像的基本原理，然后分别论述了动态激光图像的颜色编码原理和用户调色板的生成以及象素和角度的寻址。这种图像是在Ｗｉｎｄｏｗｓ环境下，以Ｖｉｓｕａｌ ｃ＋＋为编程工具，借于流行的图像软件
采用电子束蒸发淀积ＷＯ３薄膜。根据已有的ＷＯ３薄膜脱水过程结论而选择适当温度对薄膜进行退火处理。在大量含水的和不含水的两类Ｌｉ＾＋电解质中进行比较性着色和消色循环实验，表明在２９０℃以下热
本文就用于STN－LCD和其它高分辨率LCD的基板材料——丙烯酸酯塑料展开，研究了其热学、化学和机械学特性。比较塑料与玻璃基板特性之不同点对制造塑料LCD有非常重要的指导意义。
概述场发射显示器件的原理，结构和制作工艺及发展水平。展望ＦＥＤ的前景并介绍了国际上围绕ＦＥＤ展开的激烈竞争。
对用于磁光法拉第旋转器件的掺Ｂｉ的ＹＩＧ薄膜进行了介绍与分析，这种新型磁光薄膜（ＹｂＴｂＢｉ）３（ＦｅＧａ）５Ｏ１２是采用液相外延技术在ＣａＭｇＺｒ：ＧＧＧ晶片的（１１１）方向生长的，通过合理的配方及工艺生长出了成份均匀，光吸收小，在波长λ＝１．３１μｍ和λ
本文介绍显示技术的新发展，场发射显示技术的掘起，场发射技术及真空技术，微显示技术的发展，从崦论述了我国场发射显示技术的研究方向。
本文发展了一种研究ａ－Ｓｉ：Ｈ ＴＦＴ电流－电压特性的新方法。基于局域态电荷密度解析统一模型，提出并深入分析了沟道区有效温度参数的概念，并由此推导出了ａ－Ｓｉ：Ｈ ＴＦＴ电流－电压特性的解析表达式。其理论
介绍高速摄像器件在结构、设计方面的特点及相关电路。
本文简要地介绍了平板ＣＲＴ发展概况，评述了平板ＣＲＴ的基本问题，指出矩阵式驱动和电子束偏转系统结合的平板ＣＲＴ可能是很有前途的一种方案。