【摘 要】
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在室温下,对经完全热处理的第二代单晶高温合金CMSX-4实施压缩和拉伸预应变。压缩和拉伸预应变在单晶CMSX-4中产生了剪切带。单晶CMSX-4在950℃下热暴露10h,沿剪切带产生了γ
【机 构】
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在室温下,对经完全热处理的第二代单晶高温合金CMSX-4实施压缩和拉伸预应变。压缩和拉伸预应变在单晶CMSX-4中产生了剪切带。单晶CMSX-4在950℃下热暴露10h,沿剪切带产生了γ′粒子择优粗化。剪切带上的γ′粒子逐渐侵入γ通道。最后,γ通道沿着剪切带消失。TCP状粒子伴随着γ通道的消失而出现。然而,热暴露10h的普通单晶CMSX-4没有产生TCP沉淀,也没有γ′粒子择优粗化。热暴露100h的预应变CMSX-4沿剪切带产生了γ′粒子和TCP相粒子择优粗化,基体中也有γ′粒子粗化。
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