【摘 要】
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本文在热丝化学气相沉积（HFCVD）系统上,采用不同的工艺参数进行了钛衬底掺硼金刚石（Ti/BDD）涂层电极的制备试验,研究了衬底温度和碳源浓度对Ti/BDD涂层电极质量的影响,优化了制备
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本文在热丝化学气相沉积（HFCVD）系统上,采用不同的工艺参数进行了钛衬底掺硼金刚石（Ti/BDD）涂层电极的制备试验,研究了衬底温度和碳源浓度对Ti/BDD涂层电极质量的影响,优化了制备Ti/BDD涂层电极的工艺条件.结果表明,沉积Ti/BDD涂层电极最合适的衬底温度为770 ℃,最适宜的C/H为2.0%.采用循环伏安法研究了用优化的工艺参数制备的Ti/BDD涂层电极的电化学性能,结果表明Ti/BDD涂层电势窗口宽、析氧电位高、背景电流小,是一种有广阔应用前景的电极材料.
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