【摘 要】
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在比较了三种不同的分段式全电容D/A结构的基础上,介绍了一种10bit电荷再分配型逐次逼近A/D转换器IP的设计。该转换器采用UMC 90nm SP-RVT CMOS工艺。该转换器IP的特点是采用
【机 构】
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秉亮科技苏州有限公司,西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室
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在比较了三种不同的分段式全电容D/A结构的基础上,介绍了一种10bit电荷再分配型逐次逼近A/D转换器IP的设计。该转换器采用UMC 90nm SP-RVT CMOS工艺。该转换器IP的特点是采用了一种利用边缘效应的边缘电容器来代替代价昂贵的PIP和MIM电容器,提高了该IP的工艺兼容性,降低了成本。后仿真结果显示,此A/D转换器在1Msam-ple/S的速度下,有效位数可达9.6bit,功耗仅为500μW。
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