【摘 要】
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本文基于决定载流子迁移率的晶格散射、电离杂质散射、表面粗糙散射第三种主要散射机制的考虑，提出了一个有较明确物理意义的精度和实用性兼顾的ＭＯＳＦＥＴ反型层中载流于迁移率半经验模
【基金项目】
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八·五攻关《先进CAD技术》资助
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本文基于决定载流子迁移率的晶格散射、电离杂质散射、表面粗糙散射第三种主要散射机制的考虑，提出了一个有较明确物理意义的精度和实用性兼顾的ＭＯＳＦＥＴ反型层中载流于迁移率半经验模型。模型适用的温度范围为５Ｋ～３７０Ｋ，沟道掺杂浓度范围为１×１０＾１４ｃｍ＾－３－１×１０＾１８ｃｍ＾－３。模型的计算结果同实验数据符合很好。
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