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通过采用插入缓冲层的办法，利用金属有机气相外延（MOCVD）得到高质量的AlGaN薄膜，克服了A1GaN薄膜容易产生裂纹的缺点．在此基础上，我们通过采用传统的紫外光刻和湿法刻蚀的方法，制备得到了金属－半导体－金属（MSM）结构的Al0.25Ga0.75N紫外光电探测器．结果表明，在1V偏压下，器件的暗电流仅为20pA，如此低的暗电流主要是由于器件中存在一定量的缺陷而导致电阻过大的原因造成的．器件的最高峰值出现在308nm，大小为0．07A／W，器件的上升时间为10ns，下降时间为190ns．