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本文系统研究了烧成温度、氮气压力、埋粉组成及Z值对GPSZrO2-Sialon系统中的ZrN生成的影响，结果显示：通过加入有效烧结助剂（Al2O3+AIN)，采用较低的烧成温度，增加埋粉中SiO分压及保护气氛氮气压力等工艺措施可有效地抑制ZrN的生成，X射线分析表明：添加16％ZrO2的Sialon（Z＝1）复合材料在1750℃，氮气压力1MPa，埋粉组成的Si2N4+BN+SiO2的条件下烧结，试样表面无ZrN生成。