Na2S2O3浓度对共电沉积制备Cu2ZnSnS4薄膜性能的影响

来源 :真空科学与技术学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：Test_518

【摘要】

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采用电化学沉积的方法在SnO2透明导电玻璃基底上沉积CuZnSnS4(CZTS)薄膜,在氮气保护下对其进行进一步硫化,研究了溶液中不同Na2S2O3浓度对沉积薄膜性质的影响.运用X射线衍射

【作者】

：

王英君陈永生卢景霄

【机构】

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郑州大学物理工程学院材料物理教育部重点实验室

【出处】

：

真空科学与技术学报

【发表日期】

：

2004年期

【关键词】

：

Cu2ZnSnS4薄膜电化学沉积硫化光学性能

【基金项目】

：

国家自然科学基金;

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采用电化学沉积的方法在SnO2透明导电玻璃基底上沉积CuZnSnS4(CZTS)薄膜,在氮气保护下对其进行进一步硫化,研究了溶液中不同Na2S2O3浓度对沉积薄膜性质的影响.运用X射线衍射、扫描电镜、紫外-可见光分光光度计和拉曼光谱等手段分别对薄膜进行表征.实验结果表明:随着浓度的增加,薄膜的结构和光学特性逐渐变好.当Na2S2O3的浓度为0.11 mol/L时,制得理想的具有类黝锡矿结构的CZTS薄膜,光学带隙1.51 eV.

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