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采用了复合体模型，对常温下硅中金引入的深能级进行了理论上的计算，给出了相应的哈密顿算符，利用区域变分法计算，计算结果与实验测量数据符合较好。
用量子力学方法计算半导体硅中某些深能级
【摘 要】
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采用了复合体模型，对常温下硅中金引入的深能级进行了理论上的计算，给出了相应的哈密顿算符，利用区域变分法计算，计算结果与实验测量数据符合较好。
【机 构】
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固体电子学系
【出 处】
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华中理工大学学报
【发表日期】
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1997年2期
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